英特尔还在重复打磨现已用了7年之久的14nm制程，年复一年，14nm+++现已成了嘲笑牙膏厂的谈资。不过看到下面的新闻你或许就笑不起来了：IBM新一代Z System Z15大型机也是用14nm工艺制作的。
大型机首要应用在银行等企业的要害事务上，比较x86架构的服务器具有更强的I/O才能、更高的安稳性和可靠性。在Z15中IBM运用的依然是与GlobalFoundries一起规划的SOI工艺定制版14nm FinFET。
从数字上说，14nm工艺现已很老了。不过蓝色伟人还在发掘它的潜力。Z15具有122亿个晶体管（i9-9900K为17.3亿个），比上代Z14前进25%，但芯片体积坚持了不变。
Z15的二级、三级和四级缓存运用了eDRAM，而不是常见的SRAM。比较每个单元需求6个晶体管的SRAM，eDRAM结构更简略：只需一个晶体管和一个电容。特别的规划加上精心的优化，使得IBM Z15的eDRAM缓存存储密度比台积电5nm工艺下的SRAM更高：
当然大型机的芯片可以承受的本钱，并不是英特尔制作家用CPU所能承受的。此外，芯片面积过大也影响到良品率。AMD现已证明了Chiplet小芯片规划的优势，英特尔面对的问题并不是简略就能说理解的。
还有一些范畴制程微缩现已阻滞很久了。英特尔研宣告14nm的同一年，2D TLC闪存发展到15nm，进入瓶颈期再也无法变小。闪存运用特别结构存储电子，电子数量过少将导致数据简单犯错，这约束了进一步的制程微缩。
铠侠的前身东芝存储初次宣告了闪存的3D堆叠技能。闪存进入3D堆叠年代后，曾有过时间短的“复古“期，比方三星24层堆叠初代V-NAND就运用了40nm古玩工艺，成果三星的3D TLC在一段时间里卖的比MLC还要贵。
3D堆叠处理了制程无法持续微缩带来的容量添加难题，而恰当的工艺回退是为了在安稳和本钱间寻求一个平衡点。当时96层堆叠3D闪存遍及运用19/20nm制程。
下图是东芝RD500固态硬盘中运用的BiCS4闪存结构，运用老练的19nm工艺制作。尽管还有15nm节点可用，但发掘潜力现已不如添加堆叠层数来的实践。
除了添加堆叠层数之外，铠侠（原东芝存储）还在研制QLC（4bit/cell）和PLC（5bit/cell）技能。乃至还宣告了一种名为Twin BiCS的闪存新结构：闪存单元可以一分为二，成倍添加它的存储容量。
当制程微缩无法像摩尔定律预言的那样持续发展，CPU挑选了多核心战略前进功能，固态硬盘运用的闪存挑选了3D堆叠前进容量，显卡显存挑选了HBM前进带宽。它们在制程没有前进的情况下，相同取得了功能的可持续添加。
